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TriboLab CMP 工艺与材料表征系统

发布时间:2019-03-29 17:21  

                                                        CMP 工艺与材料表征系统

                                                


 化学机械抛光(CMP)是半导体器件制造和许多其它先进           
技术采用的材料平坦化和平滑化工艺。研发人员不断研究
如何利用CMP开发新材料、新器件和提高器件集成度。
CMP工艺的研究具有挑战性,主要是由于抛光垫、抛光
液、修正方法、工艺配方设置和许多其它变量之间相互作
用的复杂性。另外,所有主要的反应都是瞬态的,无论在                                

单一测试周期内还是不同测试周期之间,这进一步加大了

CMP工艺研究的复杂性。
凭借上一代产品CP-4超过20年的CMP表征经验,
TriboLab CMP 经过全新的设计,具有卓越的准确性和可
重复性,是市场上唯一的CMP工艺开发仪器,可以大范
围地测量抛光压力(0.05-50 PSI)、速度(1到500RPM)、声发射、摩擦、和表面温度,全面准确地表征CMP
工艺和耗材。


1.专业的研发用小型CMP系统

全面再现晶圆抛光工艺条件
提供无与伦比的测量重复性和细节
使用小晶片而不是整个晶圆作测试,节省大量成本
2.在线实时诊断,可以更好地了解抛光过程
更好地观测瞬时抛光特性。
收集整个测试过程的数据,从晶圆基底接触抛光垫开始
到测试结束
提供更完整、更详细的数据,帮助工艺开发早期做决定

3.灵活的样品类型、尺寸、和安装配置提供最广泛的
适用性
可抛光任何平面材料,使用任何修正盘,抛光液和抛光垫
可容纳小晶片到100mm 晶圆
接受多样品夹具

测量能力

桌面型化学机械抛光测试平台

 

系统属性

集成高速/大扭矩旋转马达

伺服控制精准加载载台;电动定位水平载台

负载/摩擦力传感器,用于抛光和抛光垫修正负载控制,测量和记录 原位声发射和温度测量与记录

机械零件的腐蚀防护;可编程双泵和冲洗泵系统

软件

布鲁克 CMP 操作和数据分析软件

电脑系统

Windows7,32位操作系统,2GB内存,>250GB硬盘

 

垂直定位系统

最大行程:100mm 分辨率:0.5µm

速度:0.001-10mm/s

 

水平定位和移动系统

最大行程:75mm 分辨率:0.25µm

速度:0.001-10mm/s

 

晶圆头

转速:1-500rpm                 2英寸晶圆头压强范围:0.29-29psi

4英寸晶圆头压强范围:0.07-7.2psi

其它尺寸晶圆头压强范围:0.9-90psi(4-400N) 分辨率:20mN

底盘

转速:1-500rpm

底盘尺寸:直到9in(228mm)

 

修正器

加载范围:2-200N 分辨率:10mN

修正头尺寸:直到4.25 in

扭矩能力

5Nm@100RPM,2.5Nm@500RPM

温度测量

-25 - 1000°C

声发射响应范围

0.2 - 5.0MHz

可编程泵(选项)

流速:2.2480mL/min

电源要求

220VAC,2.5kW

系统尺寸

394mm(宽) x 610mm(深) x 775(高)



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