TriboLab CMP 工艺与材料表征系统
CMP 工艺与材料表征系统
化学机械抛光（CMP）是半导体器件制造和许多其它先进
技术采用的材料平坦化和平滑化工艺。研发人员不断研究
如何利用CMP开发新材料、新器件和提高器件集成度。
CMP工艺的研究具有挑战性，主要是由于抛光垫、抛光
液、修正方法、工艺配方设置和许多其它变量之间相互作
用的复杂性。另外，所有主要的反应都是瞬态的，无论在
单一测试周期内还是不同测试周期之间，这进一步加大了
CMP工艺研究的复杂性。凭借上一代产品CP-4超过20年的CMP表征经验，
TriboLab CMP 经过全新的设计，具有卓越的准确性和可
重复性，是市场上唯一的CMP工艺开发仪器，可以大范
围地测量抛光压力（0.05-50 PSI）、速度（1到500RPM）、声发射、摩擦、和表面温度，全面准确地表征CMP
工艺和耗材。
1.专业的研发用小型ＣＭＰ系统
全面再现晶圆抛光工艺条件
提供无与伦比的测量重复性和细节
使用小晶片而不是整个晶圆作测试，节省大量成本
2.在线实时诊断，可以更好地了解抛光过程
更好地观测瞬时抛光特性。
收集整个测试过程的数据，从晶圆基底接触抛光垫开始
到测试结束
提供更完整、更详细的数据，帮助工艺开发早期做决定
3.灵活的样品类型、尺寸、和安装配置提供最广泛的
测量能力
桌面型化学机械抛光测试平台
系统属性
集成高速/大扭矩旋转马达
伺服控制精准加载载台；电动定位水平载台
负载/摩擦力传感器，用于抛光和抛光垫修正负载控制，测量和记录 原位声发射和温度测量与记录
机械零件的腐蚀防护；可编程双泵和冲洗泵系统
软件
布鲁克 CMP 操作和数据分析软件
电脑系统
Windows7,32位操作系统,2GB内存,>250GB硬盘
垂直定位系统
******行程：100mm 分辨率：0.5µm
速度：0.001-10mm/s
水平定位和移动系统
******行程：75mm 分辨率：0.25µm
速度：0.001-10mm/s
晶圆头
转速：1-500rpm 2英寸晶圆头压强范围：0.29-29psi
4英寸晶圆头压强范围：0.07-7.2psi
其它尺寸晶圆头压强范围：0.9-90psi（4-400N） 分辨率：20mN
底盘
转速：1-500rpm
底盘尺寸：直到9in(228mm)
修正器
加载范围：2-200N 分辨率：10mN
修正头尺寸：直到4.25 in
扭矩能力
5Nm@100RPM,2.5Nm@500RPM
温度测量
-25 - 1000°C
声发射响应范围
0.2 - 5.0MHz
可编程泵（选项）
流速：2.2– 480mL/min
电源要求
220VAC,2.5kW
系统尺寸
394mm(宽) x 610mm(深) x 775(高)
适用性
可抛光任何平面材料，使用任何修正盘，抛光液和抛光垫
可容纳小晶片到100mm 晶圆
接受多样品夹具
